美国新研究显示：低强度电流刺激大脑特定区域可提高短时记忆
美国一项新研究显示，用低强度电流刺激大脑特定区域，可以增强人类的言语短时记忆。
由美国梅奥诊所领衔的研究小组在新一期英国《脑》杂志上报告说，大脑中的海马体、海马新皮层、前额叶皮层和颞叶皮层是专门用于记忆事实性信息的区域，研究人员重点研究了电刺激对大脑中这四个区域的影响。
研究人员选取了22名经常会有记忆障碍问题的癫痫患者，并把所有患者按接受电刺激的大脑区域分成４组。研究人员首先要求患者逐个念出电脑屏幕上的一组单词，并在此期间对患者大脑施加低强度电流刺激。随后，让患者尝试回忆刚才看到的单词。
结果发现，大脑外侧颞叶皮层，即头两侧太阳穴和耳朵边的区域接受电刺激的4位患者能够记住更多单词，而其他大脑区域接受电刺激的患者则没有表现出记忆力提升。
研究人员表示，这一发现有可能会促使新的电刺激设备出现，帮助治疗记忆和认知缺陷。但他们也指出，这项研究仍存在一些局限性，例如某些治疗疼痛及癫痫的药物等对结果可能有影响。
研究合作者之一、梅奥诊所的研究人员布伦特·贝里指出，该研究项目接下来将继续研究如何更好地应用电流刺激，例如确定施加电刺激的具体位置、时间控制及限制因素。
来源：新华社
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